Vishay Siliconix - SQSA80ENW-T1_GE3

KEY Part #: K6420433

SQSA80ENW-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [194426шт шт]

  • 1 pcs$0.19024
  • 3,000 pcs$0.16079

Частка нумар:
SQSA80ENW-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQSA80ENW-T1_GE3. SQSA80ENW-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQSA80ENW-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQSA80ENW-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1358pF @ 40V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 62.5W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў