IXYS - IXTT80N20L

KEY Part #: K6410248

IXTT80N20L Цэнаўтварэнне (USD) [7466шт шт]

  • 1 pcs$6.10188
  • 30 pcs$6.07152

Частка нумар:
IXTT80N20L
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTT80N20L. IXTT80N20L можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT80N20L Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTT80N20L
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
Серыя : Linear™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6160pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 520W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-268
Пакет / футляр : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FDD5810

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

  • BSL211SPT

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.

  • BSL207SPL6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP.

  • IPB05N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • IPB06N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK.