ON Semiconductor - FDD2582

KEY Part #: K6392730

FDD2582 Цэнаўтварэнне (USD) [134181шт шт]

  • 1 pcs$0.27565
  • 2,500 pcs$0.26367

Частка нумар:
FDD2582
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDD2582. FDD2582 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD2582 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDD2582
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1295pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 95W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252AA
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў