Microsemi Corporation - APTGF100A1202G

KEY Part #: K6533718

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR - Модулі and Дыёды - РФ ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGF100A1202G. APTGF100A1202G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : APTGF100A1202G

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып IGBT : NPT

Канфігурацыя : Half Bridge

Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V

Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 135A

Магутнасць - Макс : 568W

Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 100A

Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 250µA

Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 6.5nF @ 25V

Увод : Standard

NTC-цеплавізатар : No

Працоўная тэмпература : -

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : SP2

Пакет прылад пастаўшчыка : SP2

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.
VS-GB70LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 111A 447W SOT-227.
VS-GB50LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.
VS-GB100DA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.
VS-GA200SA60SP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.

Гарачыя часткі