Infineon Technologies - BSZ100N03MSGATMA1

KEY Part #: K6409723

BSZ100N03MSGATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [335875шт шт]

  • 1 pcs$0.11012
  • 5,000 pcs$0.10572

Частка нумар:
BSZ100N03MSGATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSZ100N03MSGATMA1. BSZ100N03MSGATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ100N03MSGATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSZ100N03MSGATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1700pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSDSON-8
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FQD7P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD8647L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 14A DPAK.

  • FDD5353

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.

  • FQD19N10LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.

  • FDD8778

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • PSMN2R2-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.