Частка нумар :
ZXMP6A17N8TC
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.7A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
17.7nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
637pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.56W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)