Diodes Incorporated - DMP3120L-7

KEY Part #: K6403860

[2212шт шт]


    Частка нумар:
    DMP3120L-7
    Вытворца:
    Diodes Incorporated
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMP3120L-7. DMP3120L-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMP3120L-7 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : DMP3120L-7
    Вытворца : Diodes Incorporated
    Апісанне : MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.8A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 6.7nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±12V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 285pF @ 15V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.4W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23
    Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

    • SSM3J14TTE85LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.