Частка нумар :
SI7434DP-T1-E3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
250V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
50nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
-
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.9W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8