IXYS - IXTA1N100P

KEY Part #: K6395101

IXTA1N100P Цэнаўтварэнне (USD) [59377шт шт]

  • 1 pcs$0.76105
  • 50 pcs$0.75726

Частка нумар:
IXTA1N100P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - JFET, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTA1N100P. IXTA1N100P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA1N100P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTA1N100P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
Серыя : Polar™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15.5nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 331pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 50W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263 (IXTA)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў