Частка нумар :
FDU044AN03L
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
21A (Ta), 35A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
118nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
5160pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
160W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
I-PAK
Пакет / футляр :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA