Toshiba Semiconductor and Storage - TK6P60W,RVQ

KEY Part #: K6419456

TK6P60W,RVQ Цэнаўтварэнне (USD) [113220шт шт]

  • 1 pcs$0.34825
  • 2,000 pcs$0.34652

Частка нумар:
TK6P60W,RVQ
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Модулі драйвераў харчавання and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W,RVQ. TK6P60W,RVQ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6P60W,RVQ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : TK6P60W,RVQ
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Серыя : DTMOSIV
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.7V @ 310µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 390pF @ 300V
Функцыя FET : Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) : 60W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : DPAK
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў