Infineon Technologies - FF200R12MT4BOMA1

KEY Part #: K6532849

[1029шт шт]


    Частка нумар:
    FF200R12MT4BOMA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies FF200R12MT4BOMA1. FF200R12MT4BOMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FF200R12MT4BOMA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FF200R12MT4BOMA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып IGBT : Trench Field Stop
    Канфігурацыя : 2 Independent
    Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
    Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : -
    Магутнасць - Макс : 1050W
    Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
    Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
    Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
    Увод : Standard
    NTC-цеплавізатар : Yes
    Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C
    Тып мантажу : Chassis Mount
    Пакет / футляр : Module
    Пакет прылад пастаўшчыка : Module

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB90DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

    • VS-GB75LA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

    • VS-GT140DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

    • VS-GT120DA65U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.