Microchip Technology - DN2540N8-G

KEY Part #: K6416046

DN2540N8-G Цэнаўтварэнне (USD) [150825шт шт]

  • 1 pcs$0.25125
  • 2,000 pcs$0.25000

Частка нумар:
DN2540N8-G
Вытворца:
Microchip Technology
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR - Модулі, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microchip Technology DN2540N8-G. DN2540N8-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN2540N8-G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DN2540N8-G
Вытворца : Microchip Technology
Апісанне : MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 400V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 170mA (Tj)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 Ohm @ 120mA, 0V
Vgs (й) (Max) @ Id : -
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 300pF @ 25V
Функцыя FET : Depletion Mode
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-243AA (SOT-89)
Пакет / футляр : TO-243AA
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.