EPC - EPC2014C

KEY Part #: K6418886

EPC2014C Цэнаўтварэнне (USD) [151133шт шт]

  • 1 pcs$0.27055
  • 2,500 pcs$0.26921

Частка нумар:
EPC2014C
Вытворца:
EPC
Падрабязнае апісанне:
GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах EPC EPC2014C. EPC2014C можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2014C Атрыбуты прадукту

Частка нумар : EPC2014C
Вытворца : EPC
Апісанне : GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
Серыя : eGaN®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : GaNFET (Gallium Nitride)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs (макс.) : +6V, -4V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 300pF @ 20V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : -
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : Die Outline (5-Solder Bar)
Пакет / футляр : Die
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.