Infineon Technologies - IPP60R180P7XKSA1

KEY Part #: K6398813

IPP60R180P7XKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [31701шт шт]

  • 1 pcs$1.22955
  • 10 pcs$1.05445
  • 100 pcs$0.84741
  • 500 pcs$0.65908
  • 1,000 pcs$0.54610

Частка нумар:
IPP60R180P7XKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP60R180P7XKSA1. IPP60R180P7XKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R180P7XKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP60R180P7XKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Серыя : CoolMOS™ P7
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 280µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1081pF @ 400V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 72W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • R6009KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM.

  • R6004KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM.

  • R5011ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 11A TO220.