STMicroelectronics - STB11NM80T4

KEY Part #: K6416850

STB11NM80T4 Цэнаўтварэнне (USD) [21268шт шт]

  • 1 pcs$1.93771
  • 1,000 pcs$1.71791

Частка нумар:
STB11NM80T4
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STB11NM80T4. STB11NM80T4 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB11NM80T4 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STB11NM80T4
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Серыя : MDmesh™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 11A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 43.6nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1630pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 150W (Tc)
Працоўная тэмпература : -65°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.