Microsemi Corporation - 1N5814

KEY Part #: K6445532

1N5814 Цэнаўтварэнне (USD) [2644шт шт]

  • 1 pcs$21.56037
  • 100 pcs$21.45311

Частка нумар:
1N5814
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation 1N5814. 1N5814 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5814 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N5814
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 20A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 950mV @ 20A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : 300pF @ 10V, 1MHz
Тып мантажу : Stud Mount
Пакет / футляр : DO-203AA, DO-4, Stud
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-203AA
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.