Rohm Semiconductor - RQ3E100BNTB

KEY Part #: K6411692

RQ3E100BNTB Цэнаўтварэнне (USD) [871993шт шт]

  • 1 pcs$0.04689
  • 3,000 pcs$0.04666

Частка нумар:
RQ3E100BNTB
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB. RQ3E100BNTB можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E100BNTB Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RQ3E100BNTB
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1100pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-HSMT (3.2x3)
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7843TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 161A DPAK.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • FDN308P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3.