1N914B Цэнаўтварэнне (USD) [935213шт шт]
- 1 pcs$0.03955
- 10 pcs$0.02689
- 100 pcs$0.01455
- 500 pcs$0.00895
- 1,000 pcs$0.00611
- Частка нумар:
- 1N914B
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor 1N914B. 1N914B можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
1N914B Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
1N914B
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
200mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 100mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 75V
Ёмістасць @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-35
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SMBD914E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
-
SD103AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 300 Volt 50ns
-
FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 400 Volt 50ns
Гарачыя часткі
- SF10JG-A
- GI816-E3/73
- FR101TA
- IDH12G65C5XKSA1
- VS-10ETF12SPBF
- JANTX1N1190
- SS15HE3_A/H
- SRP100K-E3/54
- S5GHE3/9AT
- SK33/TR13
- CDBK0530-HF
- UF4001-TP
- D251N08BXPSA1
- MSS1P2U-M3/89A
- UH2BHE3/5BT
- 1N1128AR
- SL44HE3/57T
- SS8P2L-E3/87A
- S1B-E3/51T
- 245NQ015R
- BYD33JGP-E3/54
- STTH1R04
- R5100810XXWA
- 1N5401
- SIDC03D60C6X1SA2
- 1N914A
- RL205-TP
- RS2D-13
- FR606-T
- 10BQ100
- SF11-T
- APD245VD-E1
- 1N4936-AP
- DSI30-08AS-TUB
- FESF8AT-E3/45
- RO 2BV1
- ES3A-M3/9AT
- EGP10DE-E3/54
- U1B-E3/61T
- 1N3957GP-E3/54