EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

EPC2012 Цэнаўтварэнне (USD) [1259шт шт]

  • 1,000 pcs$0.56684

Частка нумар:
EPC2012
Вытворца:
EPC
Падрабязнае апісанне:
GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах EPC EPC2012. EPC2012 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2012 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : EPC2012
Вытворца : EPC
Апісанне : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Серыя : eGaN®
Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : GaNFET (Gallium Nitride)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.8nC @ 5V
Vgs (макс.) : +6V, -5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 145pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : -
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 125°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : Die
Пакет / футляр : Die
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRLR8726PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • IRFR3410TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.

  • IRFR1018ETRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.

  • IRLR024ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

  • TP0610K-T1

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.

  • 2N7002E

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.