EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах EPC EPC2012. EPC2012 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : EPC2012

Вытворца : EPC

Апісанне : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Серыя : eGaN®

Статус часткі : Discontinued at Digi-Key

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : GaNFET (Gallium Nitride)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (макс.) : +6V, -5V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 145pF @ 100V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : -

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 125°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет прылад пастаўшчыка : Die

Пакет / футляр : Die

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў