ON Semiconductor - NTNS3164NZT5G

KEY Part #: K6415998

NTNS3164NZT5G Цэнаўтварэнне (USD) [914187шт шт]

  • 1 pcs$0.17402
  • 10 pcs$0.13724
  • 100 pcs$0.09409
  • 500 pcs$0.06453
  • 1,000 pcs$0.04839

Частка нумар:
NTNS3164NZT5G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTNS3164NZT5G. NTNS3164NZT5G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTNS3164NZT5G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NTNS3164NZT5G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 361mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 0.8nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 24pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 155mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Пакет / футляр : SC-101, SOT-883

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.