Vishay Siliconix - SI5441BDC-T1-E3

KEY Part #: K6396442

SI5441BDC-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [167720шт шт]

  • 1 pcs$0.22053
  • 3,000 pcs$0.20708

Частка нумар:
SI5441BDC-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-E3. SI5441BDC-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5441BDC-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI5441BDC-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.4A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 22nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.3W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 1206-8 ChipFET™
Пакет / футляр : 8-SMD, Flat Lead

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў