ON Semiconductor - FCB11N60FTM

KEY Part #: K6410154

[34шт шт]


    Частка нумар:
    FCB11N60FTM
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FCB11N60FTM. FCB11N60FTM можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FCB11N60FTM Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FCB11N60FTM
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
    Серыя : SuperFET™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 11A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 52nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1490pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 125W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • IXTY1R4N60P

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FCD7N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

    • FDD5810

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

    • BSL211SPT

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.