Infineon Technologies - BSP372NH6327XTSA1

KEY Part #: K6411637

BSP372NH6327XTSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [242829шт шт]

  • 1 pcs$0.15232
  • 1,000 pcs$0.12529

Частка нумар:
BSP372NH6327XTSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSP372NH6327XTSA1. BSP372NH6327XTSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP372NH6327XTSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSP372NH6327XTSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.8V @ 218µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 329pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.8W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-SOT223-4
Пакет / футляр : TO-261-4, TO-261AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў