Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP25K-E3/54

KEY Part #: K6440252

RGP25K-E3/54 Цэнаўтварэнне (USD) [278337шт шт]

  • 1 pcs$0.13289
  • 2,800 pcs$0.12043

Частка нумар:
RGP25K-E3/54
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 2.5A DO201AD. Rectifiers 800 Volt 2.5A 500ns 100 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division RGP25K-E3/54. RGP25K-E3/54 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP25K-E3/54 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RGP25K-E3/54
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 2.5A DO201AD
Серыя : SUPERECTIFIER®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2.5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 2.5A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 500ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 800V
Ёмістасць @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-201AD, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-201AD
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • IDD06E60BUMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252.

  • IDP30E65D2XKSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS