Частка нумар :
IPAW60R600CEXKSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
10.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
20.5nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
444pF @ 100V
Функцыя FET :
Super Junction
Рассейванне магутнасці (макс.) :
28W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO220 Full Pack
Пакет / футляр :
TO-220-3 Full Pack