Vishay Siliconix - IRFD9010

KEY Part #: K6392851

IRFD9010 Цэнаўтварэнне (USD) [66291шт шт]

  • 1 pcs$0.59278
  • 2,500 pcs$0.58983

Частка нумар:
IRFD9010
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFD9010. IRFD9010 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD9010 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFD9010
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 50V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.1A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 580mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 240pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Пакет / футляр : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў