Diodes Incorporated - DMT4008LFV-13

KEY Part #: K6394975

DMT4008LFV-13 Цэнаўтварэнне (USD) [260504шт шт]

  • 1 pcs$0.14198

Частка нумар:
DMT4008LFV-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI333.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMT4008LFV-13. DMT4008LFV-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT4008LFV-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMT4008LFV-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI333
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12.1A (Ta), 54.8A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 17.1nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1179pF @ 20V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.9W (Ta), 35.7W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerDI3333-8
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў