STMicroelectronics - STW80NF06

KEY Part #: K6415866

[12263шт шт]


    Частка нумар:
    STW80NF06
    Вытворца:
    STMicroelectronics
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-247.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STW80NF06. STW80NF06 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STW80NF06 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : STW80NF06
    Вытворца : STMicroelectronics
    Апісанне : MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
    Серыя : STripFET™ II
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 150nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3850pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
    Працоўная тэмпература : 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247-3
    Пакет / футляр : TO-247-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • FQD12P10TM-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK.

    • FDD6635

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 35V 15A DPAK.

    • RFD16N06LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 16A DPAK.

    • FQD4P40TM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK.

    • IRLI520NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.

    • IPB080N06N G

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 80A TO-263.