Infineon Technologies - IRF2807STRLPBF

KEY Part #: K6419067

IRF2807STRLPBF Цэнаўтварэнне (USD) [89826шт шт]

  • 1 pcs$0.43530
  • 800 pcs$0.37670

Частка нумар:
IRF2807STRLPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF2807STRLPBF. IRF2807STRLPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2807STRLPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF2807STRLPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 75V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 82A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3820pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 230W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў