ON Semiconductor - FDD1600N10ALZD

KEY Part #: K6420732

FDD1600N10ALZD Цэнаўтварэнне (USD) [240983шт шт]

  • 1 pcs$0.15425
  • 2,500 pcs$0.15349

Частка нумар:
FDD1600N10ALZD
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDD1600N10ALZD. FDD1600N10ALZD можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD1600N10ALZD Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDD1600N10ALZD
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Last Time Buy
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.8A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 3.61nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 225pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 14.9W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252-4L
Пакет / футляр : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў