Diodes Incorporated - DMT3009LFVWQ-13

KEY Part #: K6394133

DMT3009LFVWQ-13 Цэнаўтварэнне (USD) [270511шт шт]

  • 1 pcs$0.13673

Частка нумар:
DMT3009LFVWQ-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMT3009LFVWQ-13. DMT3009LFVWQ-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT3009LFVWQ-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMT3009LFVWQ-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Ta), 50A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 3.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 823pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerDI3333-8
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.