Vishay Siliconix - SIHA20N50E-E3

KEY Part #: K6396581

SIHA20N50E-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [28864шт шт]

  • 1 pcs$1.42787
  • 10 pcs$1.28949
  • 100 pcs$0.98308
  • 500 pcs$0.76460
  • 1,000 pcs$0.63353

Частка нумар:
SIHA20N50E-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHA20N50E-E3. SIHA20N50E-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA20N50E-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHA20N50E-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 19A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 184 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1640pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 34W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220 Full Pack
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.