Infineon Technologies - IPB64N25S320ATMA1

KEY Part #: K6417117

IPB64N25S320ATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [25192шт шт]

  • 1 pcs$1.63595
  • 1,000 pcs$1.50083

Частка нумар:
IPB64N25S320ATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - TRIAC and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1. IPB64N25S320ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB64N25S320ATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPB64N25S320ATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 250V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 64A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO263-3-2
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.