Nexperia USA Inc. - PMXB65UPEZ

KEY Part #: K6409527

PMXB65UPEZ Цэнаўтварэнне (USD) [1048445шт шт]

  • 1 pcs$0.04270
  • 5,000 pcs$0.04248

Частка нумар:
PMXB65UPEZ
Вытворца:
Nexperia USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. PMXB65UPEZ. PMXB65UPEZ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMXB65UPEZ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : PMXB65UPEZ
Вытворца : Nexperia USA Inc.
Апісанне : MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 634pF @ 6V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : DFN1010D-3
Пакет / футляр : 3-XDFN Exposed Pad

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.