Infineon Technologies - IPD60R1K5CEAUMA1

KEY Part #: K6403236

IPD60R1K5CEAUMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [342242шт шт]

  • 1 pcs$0.10807
  • 2,500 pcs$0.08921

Частка нумар:
IPD60R1K5CEAUMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1. IPD60R1K5CEAUMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R1K5CEAUMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPD60R1K5CEAUMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
Серыя : CoolMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 200pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 49W (Tc)
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO252
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў