Частка нумар :
IPD60R1K5CEAUMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
9.4nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
200pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
49W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO252
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63