Infineon Technologies - BSC010N04LSCATMA1

KEY Part #: K6397667

BSC010N04LSCATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [86412шт шт]

  • 1 pcs$0.45249

Частка нумар:
BSC010N04LSCATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
DIFFERENTIATED MOSFETS.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSC010N04LSCATMA1. BSC010N04LSCATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC010N04LSCATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSC010N04LSCATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : DIFFERENTIATED MOSFETS
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : -
Тэхналогіі : -
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : -
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : -
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (й) (Max) @ Id : -
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : -
Працоўная тэмпература : -
Тып мантажу : -
Пакет прылад пастаўшчыка : -
Пакет / футляр : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.