Texas Instruments - CSD13380F3

KEY Part #: K6417138

CSD13380F3 Цэнаўтварэнне (USD) [1169017шт шт]

  • 1 pcs$0.03164
  • 9,000 pcs$0.03132

Частка нумар:
CSD13380F3
Вытворца:
Texas Instruments
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Texas Instruments CSD13380F3. CSD13380F3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD13380F3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : CSD13380F3
Вытворца : Texas Instruments
Апісанне : MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR
Серыя : FemtoFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.6A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 76 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : 8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 156pF @ 6V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 3-PICOSTAR
Пакет / футляр : 3-XFDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.