ON Semiconductor - FDH50N50

KEY Part #: K6411254

[13854шт шт]


    Частка нумар:
    FDH50N50
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 500V 48A TO-247.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDH50N50. FDH50N50 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDH50N50 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDH50N50
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
    Серыя : UniFET™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 48A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 24A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 137nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6460pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 625W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247
    Пакет / футляр : TO-247-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN3306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • ZVN2535ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2535ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2535ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2120ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.