IXYS - IXFN170N30P

KEY Part #: K6394768

IXFN170N30P Цэнаўтварэнне (USD) [2903шт шт]

  • 1 pcs$15.73784
  • 10 pcs$15.65954

Частка нумар:
IXFN170N30P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFN170N30P. IXFN170N30P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN170N30P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFN170N30P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Серыя : Polar™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 300V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 138A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 258nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 20000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 890W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC