Вытворца :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 2.5A 8DFN
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
2.5A (Ta), 5.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
310 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4.7V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
4nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
185pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.1W (Ta), 17W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-DFN (3x3)
Пакет / футляр :
8-PowerVDFN