Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8ETU12-N3

KEY Part #: K6440337

[3852шт шт]


    Частка нумар:
    VS-8ETU12-N3
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8ETU12-N3. VS-8ETU12-N3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8ETU12-N3 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : VS-8ETU12-N3
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
    Серыя : FRED Pt®
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2.55V @ 8A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 144ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 55µA @ 1200V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет / футляр : TO-220-2
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AC
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IDB30E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

    • IDB30E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

    • ES2AHM3/5BT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

    • EGP20B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

    • 1N4585GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

    • GP15M-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM