Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
7A (Ta), 20A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
18nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
965pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Power33
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN