Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS187,LF

KEY Part #: K6430138

1SS187,LF Цэнаўтварэнне (USD) [2541342шт шт]

  • 1 pcs$0.01455

Частка нумар:
1SS187,LF
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - РФ and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187,LF. 1SS187,LF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS187,LF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1SS187,LF
Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне : DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 80V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 100mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.2V @ 100mA
Хуткасць : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 80V
Ёмістасць @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылад пастаўшчыка : S-Mini
Працоўная тэмпература - развязка : 125°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SICRD5650TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • SICRD101200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • AS3PGHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,400V, SMPC STD, Avalanche SM

  • VS-6ESH01-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V

  • V12P15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified

  • V15P6HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 60V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified