Infineon Technologies - FS200R12PT4BOSA1

KEY Part #: K6534054

FS200R12PT4BOSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [435шт шт]

  • 1 pcs$106.51764

Частка нумар:
FS200R12PT4BOSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
IGBT MODULE VCES 600V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies FS200R12PT4BOSA1. FS200R12PT4BOSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS200R12PT4BOSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FS200R12PT4BOSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : IGBT MODULE VCES 600V 200A
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : Trench Field Stop
Канфігурацыя : Three Phase Inverter
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 280A
Магутнасць - Макс : 1000W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : Yes
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Module
Пакет прылад пастаўшчыка : Module