Частка нумар :
GSID100A120T2P2
Вытворца :
Global Power Technologies Group
Апісанне :
SILICON IGBT MODULES
Канфігурацыя :
Three Phase Inverter
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
200A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
13.7nF @ 25V
Увод :
Three Phase Bridge Rectifier
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Module