IXYS - IXTN110N20L2

KEY Part #: K6395132

IXTN110N20L2 Цэнаўтварэнне (USD) [2702шт шт]

  • 1 pcs$17.71904
  • 10 pcs$17.63088

Частка нумар:
IXTN110N20L2
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - JFET, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTN110N20L2. IXTN110N20L2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN110N20L2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTN110N20L2
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
Серыя : Linear L2™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 500nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 23000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 735W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC