IXYS - IXFR12N100Q

KEY Part #: K6407721

IXFR12N100Q Цэнаўтварэнне (USD) [5776шт шт]

  • 1 pcs$8.66776
  • 30 pcs$8.62464

Частка нумар:
IXFR12N100Q
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFR12N100Q. IXFR12N100Q можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR12N100Q Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFR12N100Q
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2900pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 250W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOPLUS247™
Пакет / футляр : ISOPLUS247™

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў