STMicroelectronics - STB6NK60ZT4

KEY Part #: K6418903

STB6NK60ZT4 Цэнаўтварэнне (USD) [82120шт шт]

  • 1 pcs$0.47853
  • 1,000 pcs$0.47614

Частка нумар:
STB6NK60ZT4
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STB6NK60ZT4. STB6NK60ZT4 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB6NK60ZT4 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STB6NK60ZT4
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
Серыя : SuperMESH™
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 905pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 110W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў