Microsemi Corporation - APTGF50DDA120T3G

KEY Part #: K6533722

[739шт шт]


    Частка нумар:
    APTGF50DDA120T3G
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - JFET, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы and Тырыстары - SCR ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGF50DDA120T3G. APTGF50DDA120T3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGF50DDA120T3G Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : APTGF50DDA120T3G
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып IGBT : NPT
    Канфігурацыя : Dual Boost Chopper
    Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
    Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 70A
    Магутнасць - Макс : 312W
    Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 50A
    Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 250µA
    Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 3.45nF @ 25V
    Увод : Standard
    NTC-цеплавізатар : Yes
    Працоўная тэмпература : -
    Тып мантажу : Chassis Mount
    Пакет / футляр : SP3
    Пакет прылад пастаўшчыка : SP3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GB50LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.

    • VS-GB100DA60UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE IGBT SOT-227.

    • VS-GA200SA60SP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE IGBT SOT-227.

    • VS-GA100NA60UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 100A 250W SOT-227.

    • VS-GT180DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V SOT-227.